化合物半导体被称为第二代半导体材料，与第一代半导体材料相比，具有光学跃迁、电子饱和漂移速率高以及耐高温、抗辐射等特点，在超高速、超高频，低功率、低噪音几千和电路，特别是在光电子器件和光电储存方面占有独特的优势，其中最具有代表性的就是GaAs和InP等。 

    
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