化合物半導体は第二代の半導体材料と称される。第一代の半導体材料と比べて、光学遷移及び電子飽和遷移速度定数が高い、耐高温、耐輻射などの特性を有し、超高速、超高周波数、低パワー、低ノイズの回路で、特に光電子部品と光電ストレージにおけて独特なメリットがある。その内、一番代表的なものはGaAsとInPなどである。
 


 

    
                   VGF 坩堝                                                LEC 坩堝