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多結晶合成
化合物半導体単結晶を成長する前に、一般的に化合物半導体の多結晶材料を合成することが必要である。
水平一方向凝固法は現在GaAs多結晶合成の一番流行っている方法の一つである。
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化合物半導体単結晶を成長する前に、一般的に化合物半導体の多結晶材料を合成することが必要である。
水平一方向凝固法は現在GaAs多結晶合成の一番流行っている方法の一つである。