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分子束エピタキシー
分子束エピタシー(MEB)は今の世の中で最も重要なⅢ-Ⅴ族とⅡ-Ⅵ族半導体結晶体エピタキシー成長の工法の一つである。
適切な基板と適合な条件で、基板材料の結晶軸の方向に沿って薄膜を成長させる方法である。
- 製品の概要
- 製品モデル
- 参考文書
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MBEで使われる束源坩堝には耐高温、高純度、使用寿命が長いなどの特性が必要である。PBN材料はこれらの要求を完全に満足できるため、MBE製造プロセスで蒸発元素と化合物を載るための最適な容器となる。
博宇はこの技術の発展にくっついて、設計・研究したMBEシリーズの坩堝は国際主流のMEB設備に適用できる。
円錐坩堝 二重坩堝