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分子束エピタキシー

      分子束エピタシー(MEB)は今の世の中で最も重要なⅢ-Ⅴ族とⅡ-Ⅵ族半導体結晶体エピタキシー成長の工法の一つである。
​      適切な基板と適合な条件で、基板材料の結晶軸の方向に沿って薄膜を成長させる方法である。

  • 製品の概要
  • 製品モデル
  • 参考文書
           MBEで使われる束源坩堝には耐高温、高純度、使用寿命が長いなどの特性が必要である。PBN材料はこれらの要求を完全に満足できるため、MBE製造プロセスで蒸発元素と化合物を載るための最適な容器となる。
    ​       博宇はこの技術の発展にくっついて、設計・研究した
    MBEシリーズの坩堝は国際主流のMEB設備に適用できる。


        
                     円錐坩堝                                                 二重坩堝