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화합물 반도체 단결정체 성장
화합물 반도체 단결정(GaAs, InP 등)의 성장은 온도, 원료의 순도 및 성장 용기 순도를 포함한 매우 엄격한 환경을 필요로한다. 화합물 반도체 단결정 성장하는 주요 방법은 LEC와 VGF 방법이며, BOYU사에서는 관련 제품을 생산, 공급하고 있다.
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화합물 반도체는 제2대 반도체자료로도 불리우고있다. 제1대 반도체자료 대비 빠른 광학천이, 전자포화표류속도, 고온 및 복사 방지 등 특성을 갖고 있으며 초고속, 극초단파, 저공율, 저조음, 특히 광전자기재와 광확메모리 면에서 독특한 우세를 갓고있다. 기중 제일 대표적인 자재는GaAs와 InP다.
VGF 층도가니 LEC층도가니