おすすめ商品
+86-10-81584634
現在の場所 : トップページ > 製品中心 > 熱分解窒化ホウ素製品
VGF坩堝
1.製品説明
VGFは現在国際におけるGaAsとInPなど化合物半導体単結晶を成長する 主流技術である。
VGF坩堝は垂直温度勾配凝固法（VGF）により化合物単結晶を成長する 容器である。
2.製品特性
純度は99.999％に達する。
溶融金属と濡れにくい。
熱伝導率が管理できるため、結晶成長率を効果的に上げる。
優れた耐熱衝性。
洗浄しやすく、繰り返しの利用が可能。
不活性、高温で酸、アカリルと化学反応を起こしにくい。
VGFは現在国際におけるGaAsとInPなど化合物半導体単結晶を成長する 主流技術である。
VGF坩堝は垂直温度勾配凝固法（VGF）により化合物単結晶を成長する 容器である。
2.製品特性
純度は99.999％に達する。
溶融金属と濡れにくい。
熱伝導率が管理できるため、結晶成長率を効果的に上げる。
優れた耐熱衝性。
洗浄しやすく、繰り返しの利用が可能。
不活性、高温で酸、アカリルと化学反応を起こしにくい。
- 仕様説明
- 性能パラメータ
- 製品応用
- 文書ダウンロード
-
Catalog No Application Inside Diameter Height Thickness BV-2 VGF 2" 10" 0.035" BV-3 VGF 3" 10" 0.035" BV-4 VGF 4" 8" 0.035" BV-5 VGF 5" 8" 0.04" BV-6 VGF 6" 7" 0.04" BV-8 VGF 8" 20" 0.08" *以上データは選考、製品標準として顧客の需要によって別途で製作することができます。
-
PBN性能参数表
Properties Units Values Density g/cm3 1.95-2.20 Tensile Strength MPa 112 Bending Strength MPa 173 Compression Strength MPa 154 Young's Modulus GPa 18 Thermal Conductivity W/m°C "a" 60 "c" 2 Specific Heat J/g·℃ 0.90（RT） Resistivity Ω.cm 2x1015 Dielectric Strength D.C. volts/mm 2x1015 Dielectric Constant "c" 3.07 Metal Impurity Content ppm <10
