LEC坩堝

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1.製品説明
LEC( Liquid Encapsulated Czochralski method ) 法は液体被覆剤によりメッキを封止して発揮成分をコントロールして半導体結晶体の成長を実現する方法である。
LEC坩堝は主に液体封止引上法(LEC)により単結晶を成長する容器として使われる。

2.製品特性
純度は99.999％に達する。

          溶融金属と濡れにくい。
              熱伝導率が管理できるため、結晶成長率を効果的に上げる。
              優れた耐熱衝性。
              洗浄しやすく、繰り返しの利用が可能。
              不活性、高温で酸、アカリルと化学反応を起こしにくい。

仕様説明
性能パラメータ
製品応用
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Catalog No	Application	Inside Diameter	Height	Thickness
BL-3	LEC	3"	3"	0.03"
BL-4	LEC	4"	4"	0.035"
BL-5	LEC	5"	5"	0.035"
BL-6	LEC	6"	6"	0.04"
BL-7	LEC	7"	7"	0.04"
BL-8	LEC	8"	8"	0.04"
BL-14	LEC	14"	14"	0.08"

*以上データは選考、製品標準として顧客の需要によって別途で製作することができます。

PBN性能参数表

Properties	Units	Values
Density	g/cm³	1.95-2.20
Tensile Strength	MPa	112
Bending Strength	MPa	173
Compression Strength	MPa	154
Young's Modulus	GPa	18
Thermal Conductivity	W/m°C	"a" 60 "c" 2
Specific Heat	J/g·℃	0.90（RT）
Resistivity	Ω.cm	2x10¹⁵
Dielectric Strength	D.C. volts/mm	2x10¹⁵
Dielectric Constant		"c" 3.07
Metal Impurity Content	ppm	<10

連絡電話：+86-10-81584634

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